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SK海力士于当地时间8日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”上，公布了321层1TbTLC4DNAND闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。作为业界首家公布300层以上NAND具体开发进展的公司，SK海力士宣布，将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。